电磁屏蔽材料的屏蔽效能估算！
电磁波在穿过屏蔽体时发生衰减是因为能量有了损耗，这种损耗可以分成两个部分：反射损耗和吸收损耗。
反射损耗：当电磁波入射到不同媒质的分界面时，就会发生反射，使穿过界面的电磁能量减弱。由于反射现象而造成的电磁能量损失称为反射损耗，用字母R表示。当电磁波穿过一层屏蔽体时要经过两个界面，要发生两次反射。因此，电磁波穿过屏蔽体时的反射损耗等于两个界面上的反射损耗总和。反射损耗的计算公式如下：R=20lg(ZW/ZS) (dB)
式中: ZW=入射电磁波的波阻抗 ，ZS=屏蔽材料的特性阻抗
|ZS|=3.68×10-7( fμr/σr)1⁄2 式中: f=入射电磁波的频率 ，μr=相对磁导率，σr=相对电导率
|ZS|=3.68×10-7( fμr/σr)1⁄2 式中: f=入射电磁波的频率 ，μr=相对磁导率，σr=相对电导率
吸收损耗：电磁波在屏蔽材料中传播时，会有一部分能量转换成热量，导致电磁能量损失，损失的这部分能量成为屏蔽材料的吸收损耗，用字母A表示，计算公式如下：A=3.34t(fμrσr)1/2 (dB)
多次反射修正因子: 电磁波在屏蔽体的第二个界面（穿出屏蔽体的界面）发生反射后，会再次传输到第一个界面，在第一个界面发射再次反射，而再次到达第二个界面，在这个界面会有一部分能量穿透界面，泄漏到空间。这部分是额外泄漏的。应该考虑进屏蔽效能的计算。这就是多次反射修正因子，用字母B表示，大部分场合，B都可以忽略。SE = R + A +B
屏蔽体的有效性用屏蔽效能（SE）来度量。屏蔽效能的定义如下：SE=20lg(E1/E2) (dB)
式中：E1=没有屏蔽时的场强 E2=有屏蔽时的场强
如果屏蔽效能计算中使用的是磁场强度，则称为磁场屏蔽效能，如果屏蔽效能计算中使用的是电场强度，则称为电场屏蔽效能。屏蔽效能的单位是分贝(dB)，下表是衰减量与屏蔽效能的对应关系：
一般民用产品机箱的屏蔽效能在40dB以下，军用设备机箱的屏蔽效能一般要达到60dB，TEMPEST设备的屏蔽机箱屏蔽效能要达到80dB以上。屏蔽室或屏蔽舱等往往要达到100dB。100dB以上的屏蔽体是很难制造的，成本也很高。
