实用屏蔽体设计的关键！
一般除了低频磁场外，大部分金属材料可以提供100dB以上的屏蔽效能。但在实际工作中，要达到80dB以上的屏蔽效能也是十分困难的。这是因为，屏蔽体的屏蔽效能不仅取决于屏蔽体的结构。屏蔽体要满足电磁屏蔽的基本原则。电磁屏蔽的基本原则有两个：
1、屏蔽体的导电连续性：这指的是整个屏蔽体必须是一个完整的、连续的导电体。这一点在实现起来十分困难。因为一个完全封闭的屏蔽体是没有任何使用价值的。一个实用的机箱上会有很多孔缝造成屏蔽：通风口、显示口、安装各种调节杆的开口、不同部分的结合缝隙等。由于这些导致导电不连续的因素存在，如果设计人员在设计时没有考虑如何处理，屏蔽体的屏蔽效能往往很低，甚至没有屏蔽效能。
2、不能有直接穿过屏蔽体的导体：一个屏蔽效能再高的屏蔽机箱，一旦有导线直接穿过屏蔽机箱，其屏蔽效能会损失99.9%（60dB）以上。但是，实际机箱上总会有电缆穿出（入），至少会有一条电源电缆存在，如果没有对这些电缆进行妥善的处理（屏蔽或滤波），这些电缆会极大的损坏屏蔽体。妥善处理这些电缆是屏蔽设计的重要内容之一（穿过屏蔽体的导体的危害有时比孔缝的危害更大）。电磁屏蔽体与接地无关：对于静电场屏蔽，屏蔽体是必须接地的。但是对于电磁屏蔽，屏蔽体的屏蔽效能却与屏蔽体接地与否无关，这是设计人员必须明确的。在很多场合，将屏蔽体接地确实改变了电磁状态，但这是由于其它一些原因，而不是由于接地导致屏蔽体的屏蔽效能发生改变。
孔洞电磁泄漏的估算：在远场区：SE=100-20lgL-20lgf+20lg(1+2.3lg(L/H)) 若L≥λ/2，则SE=0 dB ，这时，孔洞是完全泄漏的。
公式中： L=缝隙的长度（mm）H=缝隙的宽度（mm） f=入射电磁波的频率（MHz），这个公式是在远场区中，最坏的情况下（造成最大泄漏的极化方向）的屏蔽效能（实际情况下屏蔽效能可能会更大一些）。
公式中： L=缝隙的长度（mm）H=缝隙的宽度（mm） f=入射电磁波的频率（MHz），这个公式是在远场区中，最坏的情况下（造成最大泄漏的极化方向）的屏蔽效能（实际情况下屏蔽效能可能会更大一些）。
在近场区：若辐射源是电场辐射源 SE=48+20lgZC-20lgLf+20lg(1+2.3lg(L/H)) 若辐射源是磁场辐射源 SE=20lg（πD/L）+20lg(1+2.3lg(L/H))
公式中：ZC=辐射源电路的阻抗（Ω）D=孔洞到辐射源的距离（m）L、 H =孔洞的长、宽（mm）f=电磁波的频率（MHz）注意：
公式中：ZC=辐射源电路的阻抗（Ω）D=孔洞到辐射源的距离（m）L、 H =孔洞的长、宽（mm）f=电磁波的频率（MHz）注意：
1)近场区,孔洞的泄漏与辐射源的特性有关。当辐射源是电场源时，孔洞的泄漏远比远场小（屏蔽效能高），当辐射源是磁场源时，孔洞的泄漏远比远场大（屏蔽效能低）。
2)对于近场，磁场辐射源的场合，屏蔽效能与电磁波的频率没有关系，因此，千万不要认为辐射源的频率较低（许多磁场辐射源的频率都较低），而掉以轻心。
3)这里对磁场辐射源的假设是纯磁场源，因此可以认为是一种在最坏条件下，对屏蔽效能的保守计算。对于磁场源，屏蔽与孔洞到辐射源的距离有关，距离越近，则泄漏越大。这点在设计时一定要注意，磁场辐射源一定要远离孔洞。
多个孔洞的情况：当N个尺寸相同的孔洞排列在一起，并且相距很近（距离小于λ/2）时，造成的屏蔽效能降低10 lgN。在不同面上的孔洞不会增加泄漏，因为其辐射方向不同，这个特点可以在设计中用来避免某一个面的辐射过强。
如上所述，屏蔽体上的孔洞是造成屏蔽体泄漏的主要因素之一。孔洞产生的电磁泄漏并不是一个固定的数，而是与电磁波的频率、种类、辐射源与孔洞的距离等因素有关。
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